佳能NIL价格(佳能相机价位一览表)

佳能NIL价格

佳能的新厂位于东京以北的宇都宫,投入预计超过500亿日元,正式运营大约会从2025年开始。铠侠(Koxia)届时计划开始用纳米压印技术,进行NAND闪存的量产——这件事倒并不让人意外,因为从有关纳米压印的历史新闻来看,东芝(铠侠前身)一直都是纳米压印在半导体制造领域的最大拥趸。

前不久TechInsights发了一篇光刻技术当前发展现状的eBook,提到除了EUV光学曝光以外,lithography技术三个可能有前途的方向,包括NIL(nano-imprintlithography)、DSA(directself-assembly)、EBL(electronbeamlithography)。NIL就是佳能所说的纳米压印。

HelmutSchift在介绍NIL的paper中,致谢部分提到NIL工艺技术的发展是许许多多的研究人员、工程师、技术专家共同参与的结果,他们开发出了工具、材料、工艺方案和应用。“我们很幸运NIL并不是为某个小众研究应用打造的,也不是仅仅专为半导体IC芯片大规模量产所准备的”——虽然我们还是更关注它在IC制造上的发展潜力。

虽然NIL技术进展见诸报端的新闻并不多见,绝大部分还都不是和半导体制造相关的进展。但值得一提的是,在中美贸易摩擦市场环境下,NIL技术所处的位置显得很特别——尤其当中国使用EUV技术屡屡受阻的情况下。AsiaTimes前不久报道说,佳能未来的新工厂上线,则大量输出会面向中国。虽然还是要等后续的实物问世。

另外再附上国内部分参与者在这几项技术上的专利储备情况,此处不做过多评论。而从全球和国内在光刻技术方面的技术储备来看,纳米压印虽然说不上主流-或者说在半导体IC制造上还并不曾全面崭露头角,也远不及EUV光学曝光那么知名,却似乎也有前途。

佳能相机价位一览表

如果单说优势的话,纳米压印不需要用到昂贵的光学设备,也不用多次重复曝光,成本是其显著优势。还有个很符合时下热点的优势:节能。此前采访中,佳能就特别提到了纳米压印设备功耗显著低于EUV光刻机。据说前者相比于后者功耗低90%,整体的处理成本少40%,价格相比EUVscanner更是低了很多。

年NIL纳米压印是作为下一代光刻技术(NGL)技术备选正式存在于ITRS(InternationalRoadmapforSemiconductors)路线中的;同处在NGL列表中的其他技术方向还包括157nm光刻、EUV光刻、EPL。也就是说,NIL是面向32nm、22nm节点的路线备选技术之一。

在3DNAND技术上,东芝选择了和西数合作;此外SK海力士开发NIL技术也与东芝达成了一些协议。其实对于3DNAND而言,光刻这个步骤的技术地位已经不及从前了。制造3DNAND技术挑战主要转向了沉积和蚀刻。

NAND很快向3D化发展,东芝对于NIL系统的应用也有了转向。大约5年前,东芝说非易失性存储器件的光刻需求,正从更高分辨率走向更低的成本,所以计划在3DNAND时代应用NIL,包括针对SCM(存储级内存)。

其实前些年就有报道说,NIL可能有戏了(或者每隔几年就会有这样的说法)。NIL本身的确面临着几个主要技术挑战。首先是template模板的缺陷率控制问题,否则就会在substrate上不停造成重复的缺陷。

卡农照相机

据说NIL在非半导体市场上的发展还不错,且某些领域的应用是真正走向了成熟的,典型的比如LED制造、生物工程(控制细胞生长?)、太阳能

从大方向来理解NIL纳米压印技术,可以简单概括为:(1)首先系统基于预定义好的设计,在模板(template)上形成图案;(2)在substrate上涂上保护涂层(resist,不知此处可否直接将其称作光刻胶);(3)然后就像冲压一样,模板对着substrate压上去,就在substrate上形成了图案。

TechInsights和Cipher合作总结了光刻技术主流市场参与者,在几个主要光刻方向上的专利拥有量。佳能毫无疑问是NIL纳米压印技术方向投注最多的——当然这与其此前收购MII有关;没想到的是,ASML和台积电在NIL上其实也还是有相当投入的。

这篇文章,我们就来聊聊这种不同于常规光学曝光路线的纳米压印。实际上我们认为nano-imprintlithography并非光学曝光,所以理论上叫“光刻“是不大合理的。不过似乎行业有这样的约定俗成,本文会将所有半导体制造流程中的lithography称作“光刻”(*习惯上将其译作“微影”其实会更妥帖)。

佳能原本期望纳米压印于2019年达成规模化量产的,现在看来还是不切实际了些。而其纳米压印设备据说最初装于铠侠的四日市(Yakkaichi)NAND工厂,但目前尚未实现量产。